CVD 回轉(zhuǎn)爐的核心 —— 化學氣相沉積（CVD）技術，堪稱材料制備領域的 “神奇魔法”。通過向回轉(zhuǎn)爐內(nèi)輸送含目標元素的氣態(tài)化合物，在高溫、高壓的精準調(diào)控下，這些氣體發(fā)生奇妙的化學反應，將所需元素均勻沉積在材料表面，形成性能卓越的涂層。與傳統(tǒng)方法相比，CVD 技術的優(yōu)勢十分突出。它能在較低溫度下完成反應，大幅降低對材料基體的熱損傷，同時對沉積層的成分、結(jié)構(gòu)和厚度實現(xiàn)精準控制，為材料性能的優(yōu)化和定制提供無限可能。

在 CVD 工藝里，溫度是決定材料質(zhì)量的關鍵因素。罡正 CVD 回轉(zhuǎn)爐采用進口高精度溫度傳感器，配合智能溫控算法，能夠?qū)崟r監(jiān)測并精準調(diào)控爐內(nèi)溫度，測量精度可達 ±1℃。無論是對溫度變化極為敏感的半導體材料，還是對微觀結(jié)構(gòu)要求苛刻的納米材料，都能在這款回轉(zhuǎn)爐中獲得理想的制備環(huán)境，確保材料性能的高度一致性。

在 CVD 過程中，氣體流量和壓力的精準控制對反應的順利進行至關重要。罡正 CVD 回轉(zhuǎn)爐配備多通道氣體流量控制系統(tǒng)，可獨立調(diào)節(jié)不同氣體的流量，精度達到 ±0.1sccm。同時，先進的壓力傳感器和自動調(diào)節(jié)裝置會根據(jù)工藝要求實時調(diào)整爐內(nèi)壓力，讓反應始終處于最佳狀態(tài)。這種精確的氣體調(diào)控能力，不僅能保證材料沉積的均勻性，還能顯著提高生產(chǎn)效率，降低原材料損耗。